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元件参数资料
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参数目录42806
> AOB11S60L MOSFET N-CH 600V 11A TO263
型号:
AOB11S60L
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
AOB11S60L PDF
标准包装
1
系列
aMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
399 毫欧 @ 3.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
545pF @ 100V
功率 - 最大
178W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263(D2Pak)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
785-1246-1
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